货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥23.63602 | ¥23.64 |
10 | ¥19.630336 | ¥196.30 |
100 | ¥15.622165 | ¥1562.22 |
500 | ¥13.218258 | ¥6609.13 |
1000 | ¥11.215541 | ¥11215.54 |
2000 | ¥10.654745 | ¥21309.49 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 1.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 57 nC
耗散功率 78 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
正向跨导(Min) 95 S
上升时间 4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26 ns
典型接通延迟时间 6 ns
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC019N04LS SP001067012
单位重量 106.410 mg
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0BSC019N04LSATMA1
型号:BSC019N04LSATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥23.63602 |
10+: | ¥19.630336 |
100+: | ¥15.622165 |
500+: | ¥13.218258 |
1000+: | ¥11.215541 |
2000+: | ¥10.654745 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥23.64