货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥10.342397 | ¥10.34 |
10 | ¥8.49821 | ¥84.98 |
100 | ¥6.606673 | ¥660.67 |
500 | ¥5.600346 | ¥2800.17 |
1000 | ¥4.562119 | ¥4562.12 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 4.1 A
漏源电阻 32 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 11.5 nC
耗散功率 750 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 60 ns
正向跨导(Min) 17 S
上升时间 45 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 72 ns
典型接通延迟时间 25 ns
高度 1.45 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2333DS-GE3
单位重量 8 mg
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0SI2333DS-T1-GE3
型号:SI2333DS-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥10.342397 |
10+: | ¥8.49821 |
100+: | ¥6.606673 |
500+: | ¥5.600346 |
1000+: | ¥4.562119 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥10.34