货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥4.859681 | ¥4.86 |
10 | ¥3.339473 | ¥33.39 |
100 | ¥1.628616 | ¥162.86 |
500 | ¥1.35797 | ¥678.98 |
1000 | ¥0.943526 | ¥943.53 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 115 mA
漏源电阻 13.5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 -
耗散功率 200 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 80 mS
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 7 ns
高度 1 mm
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Enhancement Mode Field Effect Transistor
单位重量 6 mg
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02N7002W-7-F
型号:2N7002W-7-F
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.859681 |
10+: | ¥3.339473 |
100+: | ¥1.628616 |
500+: | ¥1.35797 |
1000+: | ¥0.943526 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.86