
货期:(7~10天)
起订量:250
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 250 | ¥10.517188 | ¥2629.30 |
| 500 | ¥9.206439 | ¥4603.22 |
| 750 | ¥8.808535 | ¥6606.40 |
| 1250 | ¥8.529037 | ¥10661.30 |
| 1750 | ¥8.499359 | ¥14873.88 |
| 2500 | ¥8.327408 | ¥20818.52 |
| 6250 | ¥7.95505 | ¥49719.06 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 25 A
漏源电阻 7.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 10.3 nC
耗散功率 42 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2 ns
正向跨导(Min) 44 S
上升时间 22 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 17 ns
典型接通延迟时间 4 ns
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 4.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 24 mg
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0CSD17578Q5AT
型号:CSD17578Q5AT
品牌:TI
供货:锐单
单价:
| 250+: | ¥10.517188 |
| 500+: | ¥9.206439 |
| 750+: | ¥8.808535 |
| 1250+: | ¥8.529037 |
| 1750+: | ¥8.499359 |
| 2500+: | ¥8.327408 |
| 6250+: | ¥7.95505 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00