货期:(7~10天)
起订量:250
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
250 | ¥11.48418 | ¥2871.05 |
500 | ¥10.14874 | ¥5074.37 |
1000 | ¥8.497854 | ¥8497.85 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 25 A
漏源电阻 7.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 10.3 nC
耗散功率 42 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2 ns
正向跨导(Min) 44 S
上升时间 22 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 17 ns
典型接通延迟时间 4 ns
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 4.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 24 mg
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0CSD17578Q5AT
型号:CSD17578Q5AT
品牌:TI
供货:锐单
单价:
250+: | ¥11.48418 |
500+: | ¥10.14874 |
1000+: | ¥8.497854 |
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