
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥11.14398 | ¥11.14 |
| 10 | ¥9.143779 | ¥91.44 |
| 100 | ¥7.115004 | ¥711.50 |
| 500 | ¥6.030608 | ¥3015.30 |
| 1000 | ¥5.964888 | ¥5964.89 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 18 A
漏源电阻 3.5 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 39 nC
耗散功率 30 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 160 ns
上升时间 22 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 150 ns
典型接通延迟时间 28 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ3E180AJ
单位重量 505.850 mg
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0RQ3E180AJTB
型号:RQ3E180AJTB
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥11.14398 |
| 10+: | ¥9.143779 |
| 100+: | ¥7.115004 |
| 500+: | ¥6.030608 |
| 1000+: | ¥5.964888 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥11.14