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RQ3E180AJTB

ROHM(罗姆)
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制造商编号:
RQ3E180AJTB
制造商:
ROHM(罗姆)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8
渠道:
digikey

库存 :16270

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 11.14398 11.14
10 9.143779 91.44
100 7.115004 711.50
500 6.030608 3015.30
1000 5.964888 5964.89

规格参数

关键信息

制造商 ROHM Semiconductor

商标 ROHM Semiconductor

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 18 A

漏源电阻 3.5 mOhms

栅极电压 - 12 V, + 12 V

栅源极阈值电压 500 mV

栅极电荷 39 nC

耗散功率 30 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 160 ns

上升时间 22 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 150 ns

典型接通延迟时间 28 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 RQ3E180AJ

单位重量 505.850 mg

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RQ3E180AJTB

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型号:RQ3E180AJTB

品牌:ROHM

供货:锐单

库存:16270 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥11.14398
10+: ¥9.143779
100+: ¥7.115004
500+: ¥6.030608
1000+: ¥5.964888

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