货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.593415 | ¥4780.24 |
6000 | ¥1.542074 | ¥9252.44 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 1.7 A
漏源电阻 45 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 5.2 nC
耗散功率 3.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导(Min) 14 S
上升时间 13 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 1 mm
长度 2.1 mm
宽度 1.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
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0SQ1470AEH-T1_GE3
型号:SQ1470AEH-T1_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.593415 |
6000+: | ¥1.542074 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00