货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.618336 | ¥1855.01 |
6000 | ¥0.583948 | ¥3503.69 |
15000 | ¥0.532438 | ¥7986.57 |
30000 | ¥0.498051 | ¥14941.53 |
75000 | ¥0.446541 | ¥33490.58 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 50 V
漏极电流 130 mA
漏源电阻 10 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 2.2 nC
耗散功率 225 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 1.7 ns
上升时间 9.7 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 3.6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
购物车
0BVSS84LT1G
型号:BVSS84LT1G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.618336 |
6000+: | ¥0.583948 |
15000+: | ¥0.532438 |
30000+: | ¥0.498051 |
75000+: | ¥0.446541 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00