货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥5.286408 | ¥5.29 |
10 | ¥3.800499 | ¥38.00 |
100 | ¥1.915967 | ¥191.60 |
500 | ¥1.698508 | ¥849.25 |
1000 | ¥1.321888 | ¥1321.89 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 50 V
漏极电流 130 mA
漏源电阻 10 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 2.2 nC
耗散功率 225 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 1.7 ns
上升时间 9.7 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 3.6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0BVSS84LT1G
型号:BVSS84LT1G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.286408 |
10+: | ¥3.800499 |
100+: | ¥1.915967 |
500+: | ¥1.698508 |
1000+: | ¥1.321888 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.29