货期:国内(1~3工作日)
起订量:250
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
250 | ¥12.475311 | ¥3118.83 |
500 | ¥10.833846 | ¥5416.92 |
1250 | ¥9.192451 | ¥11490.56 |
2500 | ¥8.73279 | ¥21831.97 |
6250 | ¥8.404511 | ¥52528.19 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 1.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 150 nC
耗散功率 195 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
正向跨导(Min) 180 S
上升时间 19 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 57 ns
典型接通延迟时间 9 ns
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 24 mg
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0CSD18509Q5BT
型号:CSD18509Q5BT
品牌:TI
供货:锐单
单价:
250+: | ¥12.475311 |
500+: | ¥10.833846 |
1250+: | ¥9.192451 |
2500+: | ¥8.73279 |
6250+: | ¥8.404511 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00