货期:国内(1~3工作日)
起订量:250
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
250 | ¥5.810333 | ¥1452.58 |
500 | ¥5.134815 | ¥2567.41 |
1250 | ¥4.053767 | ¥5067.21 |
2500 | ¥3.783486 | ¥9458.72 |
6250 | ¥3.594356 | ¥22464.72 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 15 A
漏源电阻 61 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.2 V
栅极电荷 4.3 nC
耗散功率 2.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2 ns
上升时间 3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 7 ns
典型接通延迟时间 5 ns
高度 0.9 mm
长度 3.15 mm
宽度 3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 27.300 mg
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0CSD19538Q3AT
型号:CSD19538Q3AT
品牌:TI
供货:锐单
单价:
250+: | ¥5.810333 |
500+: | ¥5.134815 |
1250+: | ¥4.053767 |
2500+: | ¥3.783486 |
6250+: | ¥3.594356 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00