货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥33.477912 | ¥33.48 |
10 | ¥27.799066 | ¥277.99 |
100 | ¥22.12518 | ¥2212.52 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 1.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 150 nC
耗散功率 195 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
正向跨导(Min) 180 S
上升时间 19 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 57 ns
典型接通延迟时间 9 ns
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 24 mg
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0CSD18509Q5BT
型号:CSD18509Q5BT
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥33.477912 |
10+: | ¥27.799066 |
100+: | ¥22.12518 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥33.48