货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥6.853396 | ¥6.85 |
10 | ¥5.906381 | ¥59.06 |
100 | ¥4.103316 | ¥410.33 |
500 | ¥3.203652 | ¥1601.83 |
1000 | ¥2.604042 | ¥2604.04 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 3.7 A
漏源电阻 4.91 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 6.7 nC
耗散功率 5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 50 ns
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 7 ns
高度 1.6 mm
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPN60R2K1CE SP001434886
单位重量 250 mg
购物车
0IPN60R2K1CEATMA1
型号:IPN60R2K1CEATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.853396 |
10+: | ¥5.906381 |
100+: | ¥4.103316 |
500+: | ¥3.203652 |
1000+: | ¥2.604042 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.85