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IPN60R2K1CEATMA1

INFINEON(英飞凌)
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制造商编号:
IPN60R2K1CEATMA1
制造商:
INFINEON(英飞凌)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET NCH 600V 3.7A SOT223
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 6.853396 6.85
10 5.906381 59.06
100 4.103316 410.33
500 3.203652 1601.83
1000 2.604042 2604.04

规格参数

关键信息

制造商 Infineon

商标名 CoolMOS

商标 Infineon Technologies

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 600 V

漏极电流 3.7 A

漏源电阻 4.91 Ohms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2.5 V

栅极电荷 6.7 nC

耗散功率 5 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 50 ns

上升时间 7 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 30 ns

典型接通延迟时间 7 ns

外形参数

高度 1.6 mm

长度 6.5 mm

宽度 3.5 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 IPN60R2K1CE SP001434886

单位重量 250 mg

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IPN60R2K1CEATMA1

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型号:IPN60R2K1CEATMA1

品牌:INFINEON

供货:锐单

库存:0 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥6.853396
10+: ¥5.906381
100+: ¥4.103316
500+: ¥3.203652
1000+: ¥2.604042

货期:7-10天

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