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DMN33D8LT-13

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMN33D8LT-13
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 30V 0.115A
渠道:
digikey

库存 :408

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 4.391573 4.39
10 3.559486 35.59
100 1.888376 188.84
500 1.242354 621.18
1000 0.844801 844.80
2000 0.761939 1523.88
5000 0.662551 3312.76

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 200 mA

漏源电阻 5 Ohms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 800 mV

栅极电荷 550 pC

耗散功率 300 mW

通道模式 Enhancement

配置 Single

晶体管类型 2 N-Channel

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 2 mg

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DMN33D8LT-13

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型号:DMN33D8LT-13

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:408 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥4.391573
10+: ¥3.559486
100+: ¥1.888376
500+: ¥1.242354
1000+: ¥0.844801
2000+: ¥0.761939
5000+: ¥0.662551

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