货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥4.391573 | ¥4.39 |
10 | ¥3.559486 | ¥35.59 |
100 | ¥1.888376 | ¥188.84 |
500 | ¥1.242354 | ¥621.18 |
1000 | ¥0.844801 | ¥844.80 |
2000 | ¥0.761939 | ¥1523.88 |
5000 | ¥0.662551 | ¥3312.76 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 200 mA
漏源电阻 5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 550 pC
耗散功率 300 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 2 N-Channel
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2 mg
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0DMN33D8LT-13
型号:DMN33D8LT-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.391573 |
10+: | ¥3.559486 |
100+: | ¥1.888376 |
500+: | ¥1.242354 |
1000+: | ¥0.844801 |
2000+: | ¥0.761939 |
5000+: | ¥0.662551 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.39