货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥14.790362 | ¥14.79 |
10 | ¥13.232293 | ¥132.32 |
100 | ¥10.317125 | ¥1031.71 |
500 | ¥8.523088 | ¥4261.54 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 125 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 17 nC
耗散功率 3.9 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9.4 ns
上升时间 3.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 4.9 ns
高度 1.65 mm
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 112 mg
购物车
0ZXMN10A25GTA
型号:ZXMN10A25GTA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥14.790362 |
10+: | ¥13.232293 |
100+: | ¥10.317125 |
500+: | ¥8.523088 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥14.79