ZXMN6A09GTA
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- 制造商编号：
- ZXMN6A09GTA
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223
- 渠道：
- 国内现货自营digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1000 | ￥3.214699 | ￥3214.70 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 7.5 A
漏源电阻 40 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 24.2 nC
耗散功率 3.9 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.6 ns
正向跨导（Min） 15 mS
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25.3 ns
典型接通延迟时间 4.9 ns
外形参数
高度 1.65 mm
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 112 mg
ZXMN6A09GTA 同类别型号
注
ZXMN6A09GTA品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、ZXMN6A09GTA
数据手册PDF。
ZXMN6A09GTA
型号：ZXMN6A09GTA
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1000+： | ￥3.214699 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00