CSD19538Q2T
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- 制造商编号：
- CSD19538Q2T
- 制造商：
- TI(德州仪器)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：250
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 250 | ￥4.649606 | ￥1162.40 |
| 500 | ￥4.109043 | ￥2054.52 |
| 1250 | ￥3.24394 | ￥4054.92 |
| 2500 | ￥3.027692 | ￥7569.23 |
| 6250 | ￥2.876285 | ￥17976.78 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 14.4 A
漏源电阻 59 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.2 V
栅极电荷 4.3 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2 ns
上升时间 3 ns
典型关闭延迟时间 7 ns
典型接通延迟时间 5 ns
外形参数
高度 0.75 mm
长度 2 mm
宽度 2 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
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注
CSD19538Q2T品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、CSD19538Q2T
数据手册PDF
。
CSD19538Q2T
型号：CSD19538Q2T
品牌：TI
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 250+： | ￥4.649606 |
| 500+： | ￥4.109043 |
| 1250+： | ￥3.24394 |
| 2500+： | ￥3.027692 |
| 6250+： | ￥2.876285 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00