货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥3.212713 | ¥3.21 |
10 | ¥2.187705 | ¥21.88 |
100 | ¥1.46714 | ¥146.71 |
500 | ¥1.122309 | ¥561.15 |
1000 | ¥1.00665 | ¥1006.65 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 300 mA
漏源电阻 800 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 -
耗散功率 200 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 40 ns
上升时间 6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 9 ns
典型接通延迟时间 7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 RHU003N03FRA
购物车
0RHU003N03FRAT106
型号:RHU003N03FRAT106
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥3.212713 |
10+: | ¥2.187705 |
100+: | ¥1.46714 |
500+: | ¥1.122309 |
1000+: | ¥1.00665 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥3.21