货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.18905 | ¥3567.15 |
6000 | ¥1.112366 | ¥6674.20 |
15000 | ¥1.035609 | ¥15534.14 |
30000 | ¥0.981929 | ¥29457.87 |
75000 | ¥0.958924 | ¥71919.30 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 17.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 5.8 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.4 ns
正向跨导(Min) 5 S
上升时间 3.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 17.3 ns
典型接通延迟时间 6.9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RF4E080GN
购物车
0RF4E080GNTR
型号:RF4E080GNTR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.18905 |
6000+: | ¥1.112366 |
15000+: | ¥1.035609 |
30000+: | ¥0.981929 |
75000+: | ¥0.958924 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00