货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.563691 | ¥1691.07 |
6000 | ¥0.538956 | ¥3233.74 |
9000 | ¥0.466125 | ¥4195.13 |
30000 | ¥0.457399 | ¥13721.97 |
75000 | ¥0.378726 | ¥28404.45 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 2.3 A
漏源电阻 175 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 700 mV
栅极电荷 1.14 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
正向跨导(Min) 2 S
上升时间 3.9 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 4.5 ns
高度 0.35 mm
长度 1 mm
宽度 0.64 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 0.400 mg
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0CSD23381F4
型号:CSD23381F4
品牌:TI
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.563691 |
6000+: | ¥0.538956 |
9000+: | ¥0.466125 |
30000+: | ¥0.457399 |
75000+: | ¥0.378726 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00