货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.584495 | ¥4753.48 |
6000 | ¥1.482265 | ¥8893.59 |
15000 | ¥1.380035 | ¥20700.52 |
30000 | ¥1.308516 | ¥39255.48 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2.25 A
漏源电阻 56 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 5.2 nC
耗散功率 13.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 26 ns
正向跨导(Min) 13 S
上升时间 22 ns
典型关闭延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 8.2 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
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0SQA470EEJ-T1_GE3
型号:SQA470EEJ-T1_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.584495 |
6000+: | ¥1.482265 |
15000+: | ¥1.380035 |
30000+: | ¥1.308516 |
货期:1-2天
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