货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥6.656345 | ¥6.66 |
10 | ¥5.701303 | ¥57.01 |
100 | ¥4.255721 | ¥425.57 |
500 | ¥3.343801 | ¥1671.90 |
1000 | ¥2.583965 | ¥2583.97 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 17.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 5.8 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.4 ns
正向跨导(Min) 5 S
上升时间 3.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 17.3 ns
典型接通延迟时间 6.9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RF4E080GN
购物车
0RF4E080GNTR
型号:RF4E080GNTR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.656345 |
10+: | ¥5.701303 |
100+: | ¥4.255721 |
500+: | ¥3.343801 |
1000+: | ¥2.583965 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.66