货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥4.971787 | ¥4.97 |
10 | ¥3.681491 | ¥36.81 |
100 | ¥2.083416 | ¥208.34 |
500 | ¥1.37979 | ¥689.89 |
1000 | ¥1.057808 | ¥1057.81 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 200 mA
漏源电阻 2.8 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 2.2 nC
耗散功率 200 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 4 ns
典型接通延迟时间 15 ns
高度 0.8 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 RHU002N06
单位重量 6 mg
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0RHU002N06T106
型号:RHU002N06T106
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.971787 |
10+: | ¥3.681491 |
100+: | ¥2.083416 |
500+: | ¥1.37979 |
1000+: | ¥1.057808 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.97