货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥12.532291 | ¥12.53 |
10 | ¥11.166158 | ¥111.66 |
100 | ¥8.709378 | ¥870.94 |
500 | ¥7.194665 | ¥3597.33 |
1000 | ¥5.679952 | ¥5679.95 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 15.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 32 nC
耗散功率 48 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 24 ns
正向跨导(Min) 29 S
上升时间 3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 23 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.13 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
购物车
0SQJA86EP-T1_GE3
型号:SQJA86EP-T1_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥12.532291 |
10+: | ¥11.166158 |
100+: | ¥8.709378 |
500+: | ¥7.194665 |
1000+: | ¥5.679952 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥12.53