货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥39.595716 | ¥39.60 |
10 | ¥35.547088 | ¥355.47 |
100 | ¥29.126828 | ¥2912.68 |
500 | ¥24.795003 | ¥12397.50 |
1000 | ¥20.911471 | ¥20911.47 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 300 V
漏极电流 38 A
漏源电阻 56 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 125 nC
耗散功率 341 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
正向跨导(Min) 45 S
上升时间 23 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 34 ns
典型接通延迟时间 18 ns
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFB4137PBF SP001554580
单位重量 2 g
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0IRFB4137PBF
型号:IRFB4137PBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥39.595716 |
10+: | ¥35.547088 |
100+: | ¥29.126828 |
500+: | ¥24.795003 |
1000+: | ¥20.911471 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥39.60