货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥38.523781 | ¥38.52 |
30 | ¥30.733535 | ¥922.01 |
120 | ¥27.498725 | ¥3299.85 |
510 | ¥24.263478 | ¥12374.37 |
1020 | ¥21.837105 | ¥22273.85 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 22 A
漏源电阻 360 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 38 nC
耗散功率 500 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 19 ns
正向跨导(Min) 24 S, 14 S
上升时间 17 ns
晶体管类型 1 N-Channel
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0IXFH22N60P3
型号:IXFH22N60P3
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥38.523781 |
30+: | ¥30.733535 |
120+: | ¥27.498725 |
510+: | ¥24.263478 |
1020+: | ¥21.837105 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥38.52