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1 | ¥5.976398 | ¥5.98 |
10 | ¥5.817988 | ¥58.18 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 5.4 A
漏源电阻 40 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 14.5 nC
耗散功率 1.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6.2 ns
上升时间 6.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 33.9 ns
典型接通延迟时间 4.2 ns
高度 1.3 mm
长度 3.1 mm
宽度 1.8 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 15 mg
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0ZXMN2B03E6TA
型号:ZXMN2B03E6TA
品牌:DIODES
供货:锐单
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10+: | ¥5.817988 |
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单价:¥0.00总价:¥5.98