货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥4.695288 | ¥4.70 |
10 | ¥3.484397 | ¥34.84 |
100 | ¥1.970785 | ¥197.08 |
500 | ¥1.304796 | ¥652.40 |
1000 | ¥1.000344 | ¥1000.34 |
制造商 Toshiba
商标名 MOSIII
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 500 mA
漏源电阻 630 mOhms
栅极电压 - 5 V, + 5 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 1.23 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 420 mS
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 75 ns
典型接通延迟时间 30 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 6.600 mg
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0SSM3K36TU,LF
型号:SSM3K36TU,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.695288 |
10+: | ¥3.484397 |
100+: | ¥1.970785 |
500+: | ¥1.304796 |
1000+: | ¥1.000344 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.70