货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥16.715147 | ¥16.72 |
10 | ¥15.023081 | ¥150.23 |
100 | ¥12.076694 | ¥1207.67 |
500 | ¥9.921947 | ¥4960.97 |
1000 | ¥8.268381 | ¥8268.38 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 43 A
漏源电阻 42 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 133.3 nC
耗散功率 200 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF3415PBF SP001564438
单位重量 2 g
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0IRF3415PBF
型号:IRF3415PBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥16.715147 |
10+: | ¥15.023081 |
100+: | ¥12.076694 |
500+: | ¥9.921947 |
1000+: | ¥8.268381 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥16.72