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起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥5.425372 | ¥5.43 |
10 | ¥4.008608 | ¥40.09 |
30 | ¥3.750258 | ¥112.51 |
100 | ¥3.491906 | ¥349.19 |
500 | ¥3.375231 | ¥1687.62 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVIII-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 214 A
漏源电阻 3.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 130 nC
耗散功率 255 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 15.1 mm
长度 10.16 mm
宽度 4.45 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0TK100E08N1,S1X
型号:TK100E08N1,S1X
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.425372 |
10+: | ¥4.008608 |
30+: | ¥3.750258 |
100+: | ¥3.491906 |
500+: | ¥3.375231 |
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