货期:国内(1~3工作日)
起订量:800
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
800 | ¥13.509313 | ¥10807.45 |
1600 | ¥11.567349 | ¥18507.76 |
2400 | ¥10.891905 | ¥26140.57 |
5600 | ¥10.449695 | ¥58518.29 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 210 A
漏源电阻 2.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 120 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 83 ns
正向跨导(Min) 210 S
上升时间 82 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 55 ns
典型接通延迟时间 19 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFS3206TRRPBF SP001573508
单位重量 4 g
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0IRFS3206TRRPBF
型号:IRFS3206TRRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
800+: | ¥13.509313 |
1600+: | ¥11.567349 |
2400+: | ¥10.891905 |
5600+: | ¥10.449695 |
货期:1-2天
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