货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.233349 | ¥3700.05 |
6000 | ¥1.170645 | ¥7023.87 |
9000 | ¥1.087064 | ¥9783.58 |
30000 | ¥1.061939 | ¥31858.17 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 45 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 10 nC
耗散功率 750 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 5 ns
高度 1.45 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2318DS-T1-BE3 SI2318DS-GE3
单位重量 8 mg
购物车
0SI2318DS-T1-GE3
型号:SI2318DS-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.233349 |
6000+: | ¥1.170645 |
9000+: | ¥1.087064 |
30000+: | ¥1.061939 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00