货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥6.129416 | ¥6.13 |
75 | ¥4.942978 | ¥370.72 |
150 | ¥3.917058 | ¥587.56 |
525 | ¥3.320125 | ¥1743.07 |
1050 | ¥2.704587 | ¥2839.82 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 17 A
漏源电阻 110 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 10 nC
耗散功率 38 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 6.22 mm
长度 6.73 mm
宽度 2.38 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRLU024NPBF SP001553260
单位重量 340 mg
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0IRLU024NPBF
型号:IRLU024NPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.129416 |
75+: | ¥4.942978 |
150+: | ¥3.917058 |
525+: | ¥3.320125 |
1050+: | ¥2.704587 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥6.13