货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥2.523987 | ¥6309.97 |
5000 | ¥2.349986 | ¥11749.93 |
12500 | ¥2.262916 | ¥28286.45 |
25000 | ¥2.204893 | ¥55122.33 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 13 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 2.9 nC
耗散功率 3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.3 ns
正向跨导(Min) 33 S
上升时间 7.1 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 5.7 ns
典型接通延迟时间 5.5 ns
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 4.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 100 mg
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0CSD16412Q5A
型号:CSD16412Q5A
品牌:TI
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥2.523987 |
5000+: | ¥2.349986 |
12500+: | ¥2.262916 |
25000+: | ¥2.204893 |
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