货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1+ : 需询价 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 30.3 A
漏源电阻 2.15 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 16 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 29 nC
耗散功率 43.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
上升时间 23 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
购物车
0SIRA26DP-T1-RE3
型号:SIRA26DP-T1-RE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00