货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.209623 | ¥3628.87 |
6000 | ¥1.148115 | ¥6888.69 |
9000 | ¥1.066126 | ¥9595.13 |
30000 | ¥1.041552 | ¥31246.56 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 22 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 300 mV
栅极电荷 12 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 100 ns
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 70 ns
典型接通延迟时间 15 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ6C050UN
购物车
0RQ6C050UNTR
型号:RQ6C050UNTR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.209623 |
6000+: | ¥1.148115 |
9000+: | ¥1.066126 |
30000+: | ¥1.041552 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00