货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥42.732915 | ¥42.73 |
50 | ¥33.874109 | ¥1693.71 |
100 | ¥29.035362 | ¥2903.54 |
500 | ¥25.808955 | ¥12904.48 |
1000 | ¥22.098889 | ¥22098.89 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 313 A
漏源电阻 1.65 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 268 nC
耗散功率 333 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 16.3 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 FDP020N06B_F102
单位重量 2 g
购物车
0FDP020N06B-F102
型号:FDP020N06B-F102
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥42.732915 |
50+: | ¥33.874109 |
100+: | ¥29.035362 |
500+: | ¥25.808955 |
1000+: | ¥22.098889 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥42.73