货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥6.20834 | ¥6.21 |
10 | ¥5.301924 | ¥53.02 |
100 | ¥3.68403 | ¥368.40 |
500 | ¥2.876696 | ¥1438.35 |
1000 | ¥2.338186 | ¥2338.19 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 22 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 300 mV
栅极电荷 12 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 100 ns
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 70 ns
典型接通延迟时间 15 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ6C050UN
购物车
0RQ6C050UNTR
型号:RQ6C050UNTR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.20834 |
10+: | ¥5.301924 |
100+: | ¥3.68403 |
500+: | ¥2.876696 |
1000+: | ¥2.338186 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.21