货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥39.031235 | ¥39.03 |
10 | ¥35.073041 | ¥350.73 |
100 | ¥28.739242 | ¥2873.92 |
500 | ¥24.464944 | ¥12232.47 |
1000 | ¥20.633067 | ¥20633.07 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 30.8 A
漏源电阻 73 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 65 nC
耗散功率 230 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
上升时间 22 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 130 ns
典型接通延迟时间 55 ns
高度 15.1 mm
长度 10.16 mm
宽度 4.45 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0TK31E60X,S1X
型号:TK31E60X,S1X
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥39.031235 |
10+: | ¥35.073041 |
100+: | ¥28.739242 |
500+: | ¥24.464944 |
1000+: | ¥20.633067 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥39.03