货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥5.08285 | ¥5.08 |
10 | ¥3.836341 | ¥38.36 |
100 | ¥2.38894 | ¥238.89 |
500 | ¥1.634257 | ¥817.13 |
1000 | ¥1.25716 | ¥1257.16 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 200 mA
漏源电阻 2.4 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 2.2 nC
耗散功率 200 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 95 ns
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 RHU002N06FRA
单位重量 6 mg
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0RHU002N06FRAT106
型号:RHU002N06FRAT106
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.08285 |
10+: | ¥3.836341 |
100+: | ¥2.38894 |
500+: | ¥1.634257 |
1000+: | ¥1.25716 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.08