货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥18.657595 | ¥18.66 |
10 | ¥16.730056 | ¥167.30 |
25 | ¥15.781114 | ¥394.53 |
100 | ¥12.309071 | ¥1230.91 |
250 | ¥11.993744 | ¥2998.44 |
500 | ¥10.415634 | ¥5207.82 |
1000 | ¥8.837399 | ¥8837.40 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 19.5 A
漏源电阻 6.2 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 27 nC
耗散功率 3.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导(Min) 105 S
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 25 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 488.500 mg
购物车
0SISH106DN-T1-GE3
型号:SISH106DN-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥18.657595 |
10+: | ¥16.730056 |
25+: | ¥15.781114 |
100+: | ¥12.309071 |
250+: | ¥11.993744 |
500+: | ¥10.415634 |
1000+: | ¥8.837399 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥18.66