货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥15.091216 | ¥15.09 |
10 | ¥13.494062 | ¥134.94 |
100 | ¥10.517321 | ¥1051.73 |
500 | ¥8.688013 | ¥4344.01 |
1000 | ¥6.858959 | ¥6858.96 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 2.4 A
漏源电阻 170 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 8.2 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 9 ns
高度 1.1 mm
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI3430DV-T1-BE3 SI3430DV-GE3
单位重量 20 mg
购物车
0SI3430DV-T1-GE3
型号:SI3430DV-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥15.091216 |
10+: | ¥13.494062 |
100+: | ¥10.517321 |
500+: | ¥8.688013 |
1000+: | ¥6.858959 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥15.09