RQ3E120GNTB
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- 制造商编号：
- RQ3E120GNTB
- 制造商：
- ROHM(罗姆)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT
- 渠道：
- digikey
库存 ：14202
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥6.22519 | ￥6.23 |
| 10 | ￥5.366114 | ￥53.66 |
| 100 | ￥3.727644 | ￥372.76 |
| 500 | ￥2.910151 | ￥1455.08 |
| 1000 | ￥2.365324 | ￥2365.32 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 8.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 10 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.4 ns
正向跨导（Min） 10 S
上升时间 4.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25.5 ns
典型接通延迟时间 9.6 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ3E120GN
单位重量 195.815 mg
RQ3E120GNTB 同类别型号
注
RQ3E120GNTB品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、RQ3E120GNTB
数据手册PDF。
RQ3E120GNTB
型号：RQ3E120GNTB
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：14202 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥6.22519 |
| 10+： | ￥5.366114 |
| 100+： | ￥3.727644 |
| 500+： | ￥2.910151 |
| 1000+： | ￥2.365324 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥6.23