货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥10.841603 | ¥10.84 |
10 | ¥8.835283 | ¥88.35 |
100 | ¥6.872579 | ¥687.26 |
制造商 Texas Instruments
商标名 FemtoFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 2.9 A
漏源电阻 44 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 2.6 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 315 ns
正向跨导(Min) 5.4 S
上升时间 123 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 96 ns
典型接通延迟时间 39 ns
高度 0.35 mm
长度 1 mm
宽度 0.64 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 0.400 mg
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0CSD13383F4T
型号:CSD13383F4T
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥10.841603 |
10+: | ¥8.835283 |
100+: | ¥6.872579 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥10.84