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SIRC16DP-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SIRC16DP-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8
渠道:
digikey

库存 :9687

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 14.827229 14.83
10 13.282726 132.83
25 12.613028 315.33
100 9.458536 945.85
250 9.367843 2341.96
500 8.016836 4008.42
1000 6.530528 6530.53

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET, PowerPAK

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 25 V

漏极电流 60 A

漏源电阻 960 uOhms

栅极电压 - 16 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 105 nC

耗散功率 54.3 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 12 ns

正向跨导(Min) 67 S

上升时间 36 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 31 ns

典型接通延迟时间 26 ns

外形参数

高度 1.04 mm

长度 6.15 mm

宽度 5.15 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 506.600 mg

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SIRC16DP-T1-GE3

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型号:SIRC16DP-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

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单价:

1+: ¥14.827229
10+: ¥13.282726
25+: ¥12.613028
100+: ¥9.458536
250+: ¥9.367843
500+: ¥8.016836
1000+: ¥6.530528

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