货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥14.827229 | ¥14.83 |
10 | ¥13.282726 | ¥132.83 |
25 | ¥12.613028 | ¥315.33 |
100 | ¥9.458536 | ¥945.85 |
250 | ¥9.367843 | ¥2341.96 |
500 | ¥8.016836 | ¥4008.42 |
1000 | ¥6.530528 | ¥6530.53 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 960 uOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 105 nC
耗散功率 54.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导(Min) 67 S
上升时间 36 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 31 ns
典型接通延迟时间 26 ns
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
购物车
0SIRC16DP-T1-GE3
型号:SIRC16DP-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥14.827229 |
10+: | ¥13.282726 |
25+: | ¥12.613028 |
100+: | ¥9.458536 |
250+: | ¥9.367843 |
500+: | ¥8.016836 |
1000+: | ¥6.530528 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥14.83