货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.164597 | ¥3493.79 |
6000 | ¥1.105373 | ¥6632.24 |
9000 | ¥1.026386 | ¥9237.47 |
30000 | ¥1.002747 | ¥30082.41 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 8 V
漏极电流 7.4 A
漏源电阻 40 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 1.05 V
栅极电荷 8.5 nC
耗散功率 800 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 32 ns
正向跨导(Min) 10.4 S
上升时间 14 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 70 ns
典型接通延迟时间 30 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 mg
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0CSD22205L
型号:CSD22205L
品牌:TI
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.164597 |
6000+: | ¥1.105373 |
9000+: | ¥1.026386 |
30000+: | ¥1.002747 |
货期:1-2天
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