货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥47.336241 | ¥47.34 |
10 | ¥42.78138 | ¥427.81 |
25 | ¥40.794974 | ¥1019.87 |
100 | ¥35.421381 | ¥3542.14 |
500 | ¥30.844638 | ¥15422.32 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 180 A
漏源电阻 6.4 mOhms
耗散功率 480 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 31 ns
上升时间 54 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 42 ns
典型接通延迟时间 33 ns
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
购物车
0IXTH180N10T
型号:IXTH180N10T
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥47.336241 |
10+: | ¥42.78138 |
25+: | ¥40.794974 |
100+: | ¥35.421381 |
500+: | ¥30.844638 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥47.34