货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥28.302476 | ¥28.30 |
10 | ¥18.067689 | ¥180.68 |
100 | ¥12.174654 | ¥1217.47 |
500 | ¥9.649768 | ¥4824.88 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 120 mA
漏源电阻 30 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.1 V
栅极电荷 3.7 nC
耗散功率 1.8 W
通道模式 Depletion
配置 Single
下降时间 182 ns
正向跨导(Min) 80 mS
上升时间 5.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 28 ns
典型接通延迟时间 5.4 ns
开发套件 EVALLEDICL5101E1
高度 1.6 mm
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSP135 H6327 SP001058812
单位重量 112 mg
购物车
0BSP135H6327XTSA1
型号:BSP135H6327XTSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥28.302476 |
10+: | ¥18.067689 |
100+: | ¥12.174654 |
500+: | ¥9.649768 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥28.30