货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥6.800419 | ¥6.80 |
10 | ¥5.837026 | ¥58.37 |
100 | ¥4.363602 | ¥436.36 |
500 | ¥3.428546 | ¥1714.27 |
1000 | ¥2.649331 | ¥2649.33 |
2000 | ¥2.415566 | ¥4831.13 |
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2.3 A
漏源电阻 66 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 -
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 31 ns
典型接通延迟时间 20 ns
高度 0.55 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 36 mg
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0SSM6K202FE,LF
型号:SSM6K202FE,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.800419 |
10+: | ¥5.837026 |
100+: | ¥4.363602 |
500+: | ¥3.428546 |
1000+: | ¥2.649331 |
2000+: | ¥2.415566 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.80