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EPC2019

EPS
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制造商编号:
EPC2019
制造商:
EPS
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
GAN TRANS 200V 8.5A BUMPED DIE
渠道:
digikey

库存 :95037

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 34.017762 34.02
10 28.547507 285.48
100 23.090959 2309.10
500 22.585052 11292.53

规格参数

属性
参数值

制造商型号

EPC2019

制造商

EPS

商品描述

GAN TRANS 200V 8.5A BUMPED DIE

包装

Digi-Reel® Alternate Packaging

系列

eGaN®

零件状态

Active

FET 类型

N-Channel

技术

GaNFET (Gallium Nitride)

漏源电压(Vdss)

200V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

8.5A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

50mOhm @ 7A, 5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 1.5mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

2.5nC @ 5V

Vgs(最大值)

+6V, -4V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

270pF @ 100V

FET 功能

-

功率耗散(最大值)

-

工作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

供应商器件封装

Die

封装/外壳

Die

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型号:EPC2019

品牌:EPS

供货:锐单

库存:95037 MPQ:4000 MOQ:1

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1+: ¥34.017762
10+: ¥28.547507
100+: ¥23.090959
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