货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥21.611161 | ¥21.61 |
10 | ¥19.426931 | ¥194.27 |
100 | ¥15.610885 | ¥1561.09 |
500 | ¥12.826166 | ¥6413.08 |
1000 | ¥10.62749 | ¥10627.49 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 1.43 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 10.5 nC
耗散功率 60 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 33 ns
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 24 ns
典型接通延迟时间 13 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0R6004JND3TL1
型号:R6004JND3TL1
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥21.611161 |
10+: | ¥19.426931 |
100+: | ¥15.610885 |
500+: | ¥12.826166 |
1000+: | ¥10.62749 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥21.61